| 型号： | BSS806N L6327 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSS806N L6327 PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 25/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 750mV @ 11µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 529pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000464848 |